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，MOSFET是电池封装中的一种安全保护开关最近，豪威集团推出了两款新的MOSFET WNMD2196A和WNM6008，业界内阻最低的双N沟道MOSFET
根据官方介绍，双N沟道增强型MOSFET wnmd 2196 a的内阻是业界同类产品中最低的，RSS低至1m它是专门为手机锂电池的电路保护而设计的WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计，可提供出色的RSS并实现低栅极电荷高载流子迁移速度，低阈值电压和高开关速度可以实现更高的效率和更低的温升
本站了解到，采用最新一代屏蔽栅技术的WNM6008——80V大功率MOSFET，针对电信和服务器电源使用的更高开关频率进行了优化，具有超低FOM值WNM6008适用于DC—DC转换，电源开关和充电电路可有效为太阳能，电源，电池电源等应用赋能
